主要應(yīng)用領(lǐng)域;

材料合成與處理

納米材料制備：如碳納米管（CNT）、石墨烯的CVD（化學氣相沉積）生長，需*控制溫度梯度與氣體流量（如CH?/H?混合氣）。

陶瓷燒結(jié)：氧化物陶瓷（如Al?O?、ZrO?）或非氧化物陶瓷（如SiC、Si?N?）在惰性/還原氣氛下的致密化。

金屬熱處理：合金退火（如鈦合金去應(yīng)力）、滲碳/滲氮（表面改性）。

能源材料研究(電池材料)

正極材料（如NCM三元材料）的固相合成（空氣/氧氣氣氛）。  

負極硅碳材料的碳包覆（Ar氣氛下高溫裂解有機物）。  

光伏材料：鈣鈦礦薄膜的退火、硫化銅銦鎵（CIGS）硒化處理。

化學與催化

催化劑活化：負載型催化劑（如Pd/Al?O?）在H?氣氛下的還原。  

氣相反應(yīng)：CO?加氫制甲醇、甲烷干重整等反應(yīng)模擬（搭配石英反應(yīng)管與在線GC檢測）。

半導體與電子

晶圓工藝：擴散摻雜（如磷擴散）、氧化層生長（干法氧化）。  

薄膜沉積：ALD（原子層沉積）前驅(qū)體的熱分解。

環(huán)境與地質(zhì)

樣品消解：高溫熔融法處理地質(zhì)樣品（如LiBO?熔劑）。  

污染物熱解：塑料/生物質(zhì)的熱重分析（TGA）聯(lián)用實驗。

技術(shù)特點:

1.精準的溫控與加熱設(shè)計

溫區(qū)配置：單溫區(qū)（基礎(chǔ)加熱） vs. 多溫區(qū)（如三溫區(qū)爐，實現(xiàn)梯度加熱或恒溫段控制）。  

*高溫度可達1600℃（常規(guī)電阻絲）或3000℃（石墨加熱體+真空）。  

控溫精度：±1℃（PID+SCR控制），升溫速率可調(diào)（0.1~50℃/min）。

2. 氣氛控制系統(tǒng)

氣體類型:惰性（Ar、N?）、還原性（H?、CO）、氧化性（O?、空氣）或腐蝕性（Cl?、NH?，需特殊材質(zhì)爐管）。  

流量控制：質(zhì)量流量計（MFC）*調(diào)節(jié)氣體比例（如H?/Ar混合比例5%~10%）。  

真空兼容：機械泵+分子泵組合，極限真空達10?? Pa（避免樣品氧化）。

3.爐管與結(jié)構(gòu)設(shè)計

爐管材質(zhì)：石英管：耐高溫（1200℃）、透明便于觀察，但脆性大（適用于酸性氣氛）。  

氧化鋁管：耐腐蝕、適用堿性環(huán)境（如Na?CO?熔鹽實驗）。  

不銹鋼管：機械強度高，可焊接氣路（需內(nèi)襯防腐涂層）。  

密封性：法蘭連接+O圈，確保高壓/真空環(huán)境無泄漏。

4. 安全與自動化

多重保護：超溫報警、斷氣斷電聯(lián)鎖、過壓泄壓閥。  

自動化集成：程序控溫（支持多段曲線存儲）。  

與質(zhì)譜（MS）、氣相色譜（GC）聯(lián)機，實時監(jiān)測反應(yīng)產(chǎn)物。

5.特殊功能擴展

旋轉(zhuǎn)爐管：增強粉末樣品加熱均勻性（如粉末冶金）。  

低溫冷卻：搭配水冷套或液氮阱，實現(xiàn)快速淬火（如金屬玻璃制備）。  

CVD附件：氣體分布器、基片支架（定向生長薄膜材料）。